芯片漲價潮來勢洶洶 。

　　據最新消息 ，臺積電2026年將進一步提升先進制程（7nm以下）報價
，先進制程漲幅預計將達3%至10%，這將是這家全球最大晶圓代工廠連續第四年上調價格
。

　　種種跡象表明 ，全球芯片漲價潮正愈演愈烈。據供應鏈消息，三星電子已率先暫停10月DDR5DRAM合約報價
，引發SK海力士和美光等其他存儲原廠跟進，恢復報價時間預計或將延后至11月中旬 。

　　市場層面 ，今日（11月3日）SK海力士 、三星電子股價持續拉升
，截至韓國股市收盤，SK海力士暴漲近11%；三星電子大漲超3% ，再度創出歷史新高。A股存儲芯片概念股亦集體走強
，太極實業直線漲停，香農芯創大漲超8%續創歷史新高 ，普冉股份大漲超14%
，江波龍
、商絡電子、兆易創新 、北京君正等跟漲
。

　　臺積電大消息

　　11月3日，據中國臺灣《經濟日報》援引產業人士消息 ，受生產成本攀升及產能持續供不應求影響
，臺積電已啟動與客戶的年度議價溝通，預計2026年先進制程漲幅將達3%至10%。

　　據消息人士透露 ，臺積電已通知客戶，自9月起
，針對5納米以下先進制程啟動連續4年漲價計劃，漲幅將依個別客戶采購等級與合作情況而異 。其中 ，最搶手的3納米制程報價預計至少上漲個位數百分比
。

　　業界形容這是“AI時代以來首次長期漲價行動”。展望2026年
，臺積電的先進芯片工藝將面臨巨大的產能瓶頸，這主要是因為高性能計算（HPC）客戶在公司訂單中所占比例越來越大 。

　　分析認為 ，臺積電罕見啟動連續4年漲價
，與聯發科此前提到的“將反映成本上調芯片售價 ”相呼應，預料將引爆下一波芯片漲價潮
。

　　有機構指出 ，隨著全球通貨膨脹盛行
，加上臺積電海外建廠與生產成本提高，為了維持高毛利率 ，預估2026年起臺積電5nm制程以下價格將上漲約5%—10%。

　　根據研究機構預測
，雖然2026年個別先進制程漲幅不一，但整體漲幅將優于今年 。

　　芯片設計業者指出 ，臺積電此次調漲恐怕意味著將逐步縮減7納米以上成熟制程的產能，AI、服務器與HPC應用將成為主要受益領域
。

　　業界人士指出
，臺積電會綜合考量客戶采購規模
、合作深度等因素來決定具體漲幅，確保在反映成本的同時維持客戶關系穩定。

　　先進制程已成為臺積電主要成長驅動力 。5nm與3nm家族制程占今年第二季營收達六成 ，第三季持續維持這一比例
，其中3nm占23%，5nm占37%
。

　　臺積電多次強調 ，公司與客戶密切合作規劃產能
，并投資先進和特殊制程技術以支持客戶需求，同時在客戶信任下獲取適當報酬。目前先進制程因AI應用需求持續供不應求 。

　　分析認為 ，隨著AI相關需求成長
，將帶動臺積電營收獲利持續增長。外資此前已上修該公司AI應用營收的中長期預測，原先預計2028年AI應用將達到總收入的35% ，目前可望提早在今年或明年達成
。

　　TrendForce預測
，晶圓廠受益于AI帶動電源管理芯片需求，已規劃2026年全面上調代工價格。盡管具體漲幅尚待協商 ，但市場漲價氛圍已經形成 。臺積電在先進制程領域的領先地位與產能緊缺態勢，為其持續調價提供了支撐
。

　　芯片巨頭暫停報價

　　目前
，全球芯片漲價潮愈演愈烈。據中國臺灣電子時報援引供應鏈消息稱，三星電子已率先暫停10月DDR5 DRAM合約報價 ，引發SK海力士和美光等其他存儲原廠跟進
，恢復報價時間預計將延后至11月中旬 。

　　報道指出，第四季度上游原廠僅對科技龍頭或一線云廠商提供報價 ，DDR5幾乎完全沒有釋放產能給其他一般客戶
，存儲“已完全進入賣方市場
”
。 不僅如此，未來存儲三大原廠的供貨策略將愈發嚴格 ，僅向長期客戶提供報價；這也意味著
，原廠不提供報價或將成為常態，迫使有緊急需求的客戶轉向現貨市場搶貨。

　　業內人士透露 ，雖然存儲四季度合約價上漲已成為市場共識
，但此前預期是10月底前就可以敲定四季度合約價 。但三星遲遲不愿提供合約報價，直接告訴下游客戶“無貨可賣” ，導致短短一周內，DDR5現貨價格飆升25%
。

　　目前四季度合約價格尚未敲定
，但該報道稱，據推測 ，自今年第四季度至明年上半年
，DDR5價格將“連續三級跳 ”暴漲，逐季朝向30%—50%的漲幅推進。以此推算 ，2026年上半年DDR5 16Gb報價或高達30美元 。

　　業內將本輪漲價視為“超級周期”的啟動
，AI是核心驅動力，全球對高帶寬內存HBM的需求急劇增加
。例如 ，OpenAI名為“星際之門
”的數據中心項目預計每月需要高達90萬片晶圓。

　　國泰君安證券指出
，存儲行業已進入新一輪上行周期，隨著AI大模型訓練和推理對內存容量的需求激增 ，HBM和DDR5內存的緊缺將進一步傳導至整個存儲產業鏈 。

　　集邦咨詢最新報告預估
，第四季度，一般型DRAM價格將上漲18%至23% ，若加計HBM，漲幅將擴大至23%至28%；預估NAND Flash各類產品合約價也將全面上漲
，平均漲幅為5%至10%。

　　集邦咨詢分析師許家源表示，進入第四季度 ，隨著北美云服務商陸續釋放出積極的2026年DRAM需求展望
，預計將帶動DRAM整體需求增長及價格上漲，動能延續至2026年
。

　　TechInsights的10月統計數據顯示 ，第三季度DRAM平均庫存降至8周
，低于去年同期的10周與2023年初的31周，市場供應快速吃緊。

　　多名知名存儲分析師預測 ，DRAM和NAND Flash市場目前均出現缺貨現象
，預計今年四季度及2026年行業價格將進一步上漲 。