| 代碼 | 名稱 | 當前價 | 漲跌幅 | 最高價 | 最低價 | 成交量(萬) |
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在全球存儲芯片巨頭漲價或計劃漲價的背景下,存儲芯片成了資本市場追逐的寵兒 。9月30日 ,存儲芯片強勢領漲,早盤結束時漲4.14%,位列概念漲幅榜首位。
板塊中江波龍、德明利 、深科技漲停;華虹公司、恒爍股份、佰維存儲 、香農芯創、聚辰股份大漲超10%。
巨頭們漲價意愿強烈
在市場看來 ,存儲芯片的走強,與近期不少存儲芯片巨頭漲價密切相關 。據證券時報報道,9月4日 ,NAND大廠閃迪(SanDisk)發布漲價函,面向渠道和消費者客戶對閃存產品漲價10%+,主要由于北美企業級eSSD需求高景氣 ,以及行業供給向下一代節點、高端產品遷移,低端產品供給偏緊價格上漲。9月18日,繼美光暫停報價后,三星也已通知大客戶四季度漲價 ,且三星預計NAND類eMMC/UFS協議價格漲幅5%~10%。
在華鑫證券看來,9月以來的漲價潮已經算是第二輪了,第一輪漲價潮在今年4月份就已開始 。當時三星率先宣布今年將開始逐步停止生產DDR4內存顆粒 ,從而專注于生產更高端 、利潤更高的DDR5、LPDDR5和HBM內存。之后SK海力士也開始逐步減少DDR4產能,計劃將DDR4產能壓縮至20%左右。
據CFM閃存市場日前披露的數據,截至9月10日的過去不到半年時間里 ,DRAM價格指數上漲約72%,該機構還預測,漲價潮將延續至今年年底 。
中信證券指出 ,9月以來,根據Bloomberg、CFM閃存市場,NAND Flash Wafer和部分存儲模組均有不同程度上漲 ,漲幅個位數。展望后續,TrendForce預計2025年四季度NAND Flash價格將上漲5%~10%,后續數據中心eSSD漲價幅度有望超市場預期,2026年大容量QLCSSD有望出現爆發性增長。
壓力已逐漸傳導至下游
而據每日經濟新聞報道 ,存儲價格上漲帶來的成本壓力已逐漸傳導至下游。存儲模組大廠威剛日前宣布,自9月29日起停止DDR4(第四代雙倍數據率同步動態隨機存取存儲器)報價,DDR5(第五代雙倍數據率同步動態隨機存取存儲器)與NAND閃存優先供應主要客戶 。
終端廠商方面 ,8月中旬,小米集團發布的第二季度財報顯示,小米智能手機毛利率由去年同期的12.1%下降至該季度的11.5%。小米集團總裁盧偉冰在財報電話會上直言 ,今年整個內存市場價格的上漲比預期要高得多。
TrendForce表示,面向消費者的DDR4在第三季度價格接近翻倍 。終端品牌廠商為了防止供應斷裂,加強了智能手機LPDDR4X備貨 ,預計第四季度LPDDR4X價格將上漲10%以上;DDR5價格預計也將維持上漲,包括用于PC的DRAM產品將漲價。
真我GT系列 、Neo系列產品線負責人譚睿韜表示,隨著DDR4價格迅速增長 ,DDR4和DDR5的價差持續減少,這也將推動應用終端向DDR5產品切換。“從DDR4向DDR5轉變,是今年下半年行業存儲技術升級的趨勢 。”
AI基建打開新空間
進一步而言,存儲芯片的漲價 ,在不少市場人士看來,很大程度上是AI帶來的高帶寬內存(HBM)需求激增導致的。以阿里巴巴為例,此前的2025云棲大會上 ,阿里巴巴集團CEO吳泳銘表示,目前阿里正積極推進3800億的AI基礎設施建設,并計劃追加更大的投入。對比2022年這個GenAI的元年 ,到2032年阿里云全球數據中心的能耗規模將提升10倍 。
東北證券指出,全球存儲產業正經歷從周期波動向技術驅動的歷史性轉型。AI爆發性需求推動存儲性能與容量要求呈指數級增長,HBM技術憑借高帶寬特性成為AI加速卡的價值中樞 ,在高端GPU物料成本中占比突破50%。技術迭代持續加速,HBM3e已成為當前主流,位元份額超過75% ,而HBM4預計將在2025年底推出 。
此外,不少上市公司也均表達了AI的存儲需求帶來了行業的景氣度提升。比如德明利就在近期表示,存儲價格受供需結構變化、產能轉移及新興需求增長等多重因素影響,國內外頭部科技廠商正大力增加資本支出規模加碼AI投入 ,算力基礎設施建設持續擴張,服務器和數據中心的存儲需求增長持續提升行業景氣度,預計四季度存儲價格有望維持上漲趨勢。佰維存儲、江波龍、兆易創新等均有類似的表態。
據全球半導體貿易統計組織預計 ,2025年全球存儲芯片銷售額將達到1848億美元,2026年將進一步擴大到2148億美元 。
9月以來多股翻倍
在“漲價潮 ”的帶動下,9月存儲芯片板塊持續拉升 ,截至9月30日早盤收盤,板塊指數本月已大漲18.54%。個股而言,香農芯創 、德明利股價已翻倍 ,上漲幅度分別為123.33%和117.02%。江波龍、聚辰股份、協創數據等也漲幅靠前 。
(文章來源:東方財富研究中心)
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