| 代碼 | 名稱 | 當前價 | 漲跌幅 | 最高價 | 最低價 | 成交量(萬) |
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中信證券研報指出 ,2025二季度主流存儲與利基DRAM漲價,預計二季度主要存儲廠商收入環比增長,存儲模組廠迎來盈利拐點;預計2025三季度存儲價格有望維持環增態勢。1)DDR4內存條漲價邏輯下 ,重點推薦存儲芯片設計廠商;此外,建議關注存儲模組分銷商,模組廠商 。2)部分DDR4價格大漲后超過DDR5價格 ,疊加原廠逐步退出DDR4,認為DDR5滲透率有望加快提升。
全文如下存儲|DDR4漲幅超預期,預計漲勢將延續至Q3(2025年6月)
25Q2主流存儲與利基DRAM漲價 ,我們預計Q2主要存儲廠商收入環比增長,存儲模組廠迎來盈利拐點;預計25Q3存儲價格有望維持環增態勢。
▍價格回顧(Bloomberg,CFM閃存市場)
DRAM:DDR5溫和上漲,DDR4受原廠加速減產影響漲幅超預期 。1)DDR5:5月現貨環比+2% ,6月至今低個位數漲幅。顆粒現貨和合約價格保持溫和上漲,4-5月DDR5 8Gb合約價上漲約2%,DDR5 16Gb現貨價上漲約7%。2)DDR4:5月現貨環比+9%~+37% ,6月至今漲幅達17%~37% 。海外大廠聚焦高利潤率的DDR5、HBM,壓縮DDR3/DDR4供給,TrendForce預計最后出貨時間為2026年初。25Q2 ,隨著原廠加速退出DDR4供應 、下游緊急拉貨,5月DDR4 8/16Gb顆粒現貨價格平均漲幅超30%。
NAND Flash:原廠減產效果已顯現,價格溫和上漲 。5月NAND Flash(Wafer) TLC價格環比漲幅低個位數 ,6月至今價格基本保持穩定。海外大廠自2024年12月以來陸續公告減產10%~15%,同時加快將產能向200層以上產品遷移,進而減少低價產品的供應量 ,3月TLC價格轉漲(漲幅6%~14%)、SSD同步上漲,行業供需在25Q1加速平衡。需求方面,北美CSP廠商持續投入,帶動企業級SSD需求持續提升。進入5月 ,TLC價格溫和上漲,6月價格基本穩定 。
模組:DDR5內存條、SSD 、移動存儲價格相對穩定,DDR4內存條大幅上漲。1)內存條:5-6月DDR5合約價格環比持平 ,現貨價格高個位數上漲;DDR4行業、渠道市場價格上漲20%~64%。2)SSD:5-6月行業、渠道市場價格小幅回落(-3%~0%) 。3)移動存儲:消費市場需求整體穩定,5-6月UFS 、eMMC價格溫和上漲(0%~14%)。
▍價格展望:預計25Q3 DDR5、NAND溫和上漲,DDR4漲幅8%~13%。
1)對于DRAM ,我們預計在企業級需求旺盛、消費電子旺季下DDR5價格有望保持溫和上漲,DDR4在供給確定持續收縮的背景下,預期性的備貨需求有望推動價格在三季度繼續上漲;TrendForce預測 ,25Q3 DDR4 PC/Server內存模組合約價格將分別上漲18%~23%/8%~13% 。
2)對于NAND Flash,我們預計在原廠減產效果下,NAND價格有望保持溫和上漲;根據TrendForce ,25Q2/Q3 NAND Flash Wafer價格分別上漲3%~8%/5%~10%。
3)利基存儲,我們預計25Q3 SLC NAND Flash價格有望實現雙位數上漲,NOR Flash價格保持平穩。
▍風險因素:
國際宏觀政治經濟波動;下游需求走弱;面板價格提升不及預期;行業競爭激烈;技術革新風險等;國際貿易摩擦風險;海外潛在關稅風險 。
▍投資建議:
25Q2主流存儲與利基DRAM漲價,我們預計Q2主要存儲廠商收入環比增長 ,存儲模組廠迎來盈利拐點;預計25Q3存儲價格有望維持環增態勢。1)DDR4內存條漲價邏輯下,我們重點推薦存儲芯片設計廠商;此外,我們建議關注存儲模組分銷商 ,模組廠商。2)部分DDR4價格大漲后超過DDR5價格,疊加原廠逐步退出DDR4,我們認為DDR5滲透率有望加快提升 。
(文章來源:財聯社)
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