| 代碼 | 名稱 | 當前價 | 漲跌幅 | 最高價 | 最低價 | 成交量(萬) | 
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部分存儲產品傳來了漲價的消息。“這段時間有的漲了100%,有的一個月內漲了50% ,這個月漲幅非常大 。”深圳一家頭部存儲模組廠商的銷售負責人張麗(化名)告訴第一財經記者,一些DRAM產品近期出現漲價,主要是DDR4和DDR3在漲 ,背后的驅動因素不是需求增長,而是原廠停產。
DRAM即動態隨機存取存儲器,是目前兩種最主要的存儲顆粒之一 ,DDR4和DDR3分別是第四和第三代雙倍數據速率SDRAM。市場研究機構的數據也顯示,近期DDR4價格漲勢尤其迅猛 。
頻頻漲價
據閃存市場數據,在截至5月27日的一周內 ,多款DDR4產品環比價格上漲,其中DDR4 16Gb 3200、DDR4 8Gb 3200、DDR4 8Gb eTT價格分別環比上漲3.95% 、15%、10%。TrendForce集邦咨詢本月23日、25日 、27日、28日和29日發布的市場動態中,也顯示多種DDR4顆粒現貨價格出現上漲 ,29日DDR4 8Gb 3200漲幅為4%。
“深圳市場表現火熱,買家問價動作較多,部分DDR4價格持續拉升,目標價格也有所提高 ,但仍難以跟上報價 。” TrendForce集邦咨詢在29日的市場動態報告中稱。
“上周(采購時)我報你4元,你問3.8元行不行。這周再來問價,我說現在4.5元了 ,你又問能不能按上周報的4元,我說不好意思,馬上變成4.8元了 。就是按這個節奏漲的。 ”張麗向記者形容。
漲價背后 ,今年2月,有消息稱美光、三星和SK海力士可能在今年年底前停止生產DDR3和DDR4內存 。4月,有消息稱三星通知了PC制造商 ,將在今年年底前停產DDR4,最后訂購日期定在6月。
三星并未回應市場消息并證實DDR4停產,但市場上已出現連鎖反應。TrendForce集邦咨詢稱 ,三星 、美光DDR3、DDR4停產傳聞引發DRAM市場連鎖反應,出現備貨潮。“三星、SK海力士和美光針對PC及服務器的DDR4和LPDDR4產品陸續發布了EOL(終止生產)通知,最后發貨時間預計在2026年第一季度至第二季度 。”TrendForce集邦咨詢分析師許家源告訴記者,原廠宣布EOL后 ,買方紛紛搶購補充庫存,使4月至5月的顆粒現貨市場供給緊張,價格大幅上漲。
閃存市場稱 ,在原廠停產部分DDR4 、減產LPDDR4X的持續影響下,引發的漲價效應蔓延至渠道成品,較低價的DDR5資源在渠道市場也愈發難覓 ,使本周渠道DDR5內存條也調漲價格。
不只DDR4在漲價,另一大類存儲顆粒中,NAND Flash(一種主要的閃存顆粒)也有部分產品在漲價 。張麗告訴記者 ,漲價最多的是容量32Gb及32Gb以下的MLC NAND Flash,這類產品主要用于智能家居、電視、工業自動化設備 、智能穿戴產品等,三星占了這類產品較大的市場份額。據她所知 ,也是因為原廠發了停產通知,導致MLC NAND Flash市場供應減少,因此近期才會出現漲價。
近日有消息稱,三星提前停產MLC NAND Flash ,通知只供應至6月,并希望通過漲價使客戶知難而退,市場則對三星停供導致供應短缺問題感到擔憂 ,大力囤貨 。三星在給記者的回應中未提及MLC NAND Flash停供一事是否真實,而是表示,不對客戶有關的事發表評論。
原廠調整生產
漲價是局部現象 ,雖然業內預計存儲行情已在逐步改善,但市場還未因整體需求拔高而出現十分迅猛的整體漲價。
以NAND Flash為例,TrendForce集邦咨詢29日發布的報告稱 ,今年第一季度NAND Flash供應商在面對庫存壓力和終端客戶需求下滑的情況下,平均銷售價格下降了15%,出貨量環比減少7% ,該季度前五大NAND Flash品牌廠營收合計120.2億美元,環比減少24% 。預計第二季度NAND Flash價格將出現觸底反彈,品牌廠商營收有望環比增加10%。
從存儲市場整體規模看,也有存儲供應鏈從業者向記者表示 ,預計今年將比去年有所增長,但幅度預計只有1%~2%。其背后,積極因素包括業內去庫存后價格得到支撐、AI應用帶來大容量存儲需求 ,但整體終端需求還未強勁反彈 。
在這種情況下,之所以部分存儲顆粒漲價,是因為這些產品并非最新一代的高性能產品 ,而原廠面向AI帶來的新需求,正進行制程轉換。
“現在DDR已經做到了DDR5,像三星、海力士這些原廠大廠 ,它們已經打算將產能轉到高性能的產品上,例如HBM(高帶寬內存,DRAM的一種) ,這部分(DDR3、DDR4)已經不是能帶來高利潤 、高毛利的業務了。”張麗解釋。
許家源也告訴記者,一些DDR4和LPDDR4將終止生產,主要是因為PC及服務器應用已經逐步從DDR4轉向DDR5,同時DDR4系列產品的價格和利潤都較低 。
有消息稱 ,三星停產DDR4后,將把生產資源集中在DDR5和HBM上。美光則在2025財年第二季度財報中提及銷售HBM對毛利率的作用。美光稱,該季度綜合毛利率有所提高 ,原因就包括高利潤的云產品特別是HBM的銷售增加 。
MLC也不是NAND Flash最新的技術。MLC即多層單元,從MLC、TLC(三級單元)到QLC(四級單元),NAND顆粒存儲密度越來越高。記者了解到 ,今年以來,包括長江存儲、鎧俠 、Solidigm在內,多家存儲廠商已在極力推廣QLC產品 ,推進產品迭代 。
面向AI時代調整產品結構的信號越來越明顯。目前,高性能存儲產品中,HBM已成為英偉達等高性能AI芯片的必備 ,采用QLC技術的NAND Flash也被認為適合運行AI應用的設備。有供應鏈廠商向記者解釋,存儲廠商著急推QLC背后,是AI PC、AI手機這些端側設備需要存儲密度增加 。
“原廠在產能資本支出上正在減少,同時存儲技術朝更先進制程遷移。 ” CFM閃存市場總經理邰煒今年早些時候表示 ,在供應端,整體wafer(晶圓)產出相比以往的增量將明顯減少,存儲原廠的資本支出將更多投入更先進的封裝技術或產品研發上 ,更側重HBM、1c 、1γ和200層、300層這些先進產能。
美光在最新財報中表示,公司專注于在現有制造設備中增加HBM產能,以滿足2026年的市場需求 。今年4月 ,美光進行了業務部門重組,新成立了向超大規模云客戶提供內存解決方案、為數據客戶中心客戶提供HBM的云內存業務部。美光稱,此次重組的背景是高性能內存和存儲在推動AI發展方面越來越重要。
SK海力士也在加碼布局HBM。去年第四季度HBM在SK海力士DRAM銷售額中的占比超40% ,該公司預計今年該占比將提升至50%以上 。
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