周一(10月27日)高帶寬內(nèi)存(HBM)板塊狂漲近4% ，精智達(dá)漲超15%
，拓荊科技 、聯(lián)瑞新材漲超10%，香農(nóng)芯創(chuàng)
、雅克科技等跟漲 。

　　所謂高帶寬內(nèi)存（HBM ，High Bandwidth Memory）是一種專為高性能計(jì)算和圖形密集型應(yīng)用設(shè)計(jì)的DRAM技術(shù)
。HBM通過采用3D堆疊封裝技術(shù)和硅通孔（TSV）技術(shù)
，將多個DRAM芯片垂直堆疊在一起，顯著提升數(shù)據(jù)傳輸?shù)膸捄托? ，同時保持較低的功耗
，這種結(jié)構(gòu)不僅增加了存儲密度，還縮短了數(shù)據(jù)傳輸路徑 ，實(shí)現(xiàn)了高速數(shù)據(jù)通信。

　　隨著大模型參數(shù)規(guī)模與訓(xùn)練數(shù)據(jù)量的爆炸式增長，傳統(tǒng)內(nèi)存技術(shù)已成為制約算力發(fā)揮的“內(nèi)存墻 ”
，而HBM憑借其超高帶寬、低功耗和小體積特性，正成為AI芯片的主流選擇 。

　　三大原廠已布局 HBM供應(yīng)緊缺

　　綜合消息面看 ，全球內(nèi)存三大原廠均已深度布局高帶寬內(nèi)存
。

　　在日前的財(cái)報會上
，美光特別強(qiáng)調(diào)，預(yù)計(jì)半導(dǎo)體芯片 、特別是HBM的供不應(yīng)求情況將會加劇。公司CEO Sanjay Mehrotra透露 ，當(dāng)前半導(dǎo)體存儲領(lǐng)域
，DRAM庫存已低于目標(biāo)水平，NAND庫存持續(xù)下滑；而HBM產(chǎn)能需求增長顯著 ，產(chǎn)能已被鎖定
，預(yù)計(jì)2026年HBM出貨量增速將超過整體DRAM水平，成為半導(dǎo)體存儲板塊的核心增長驅(qū)動力 。

　　具體HBM產(chǎn)品中 ，美光表示
，已與幾乎所有客戶就2026年絕大部分HBM3E產(chǎn)能達(dá)成定價協(xié)議；公司正在與客戶就HBM4進(jìn)行討論，供應(yīng)“非常緊張
”
。

　　SK海力士也維持2025年HBM收入同比翻倍目標(biāo)不變 ，12Hi HBM3e產(chǎn)品今年仍占主導(dǎo)，公司指引2024-2028年HBM收入CAGR為50%；公司目前已經(jīng)向客戶提供首批HBM4樣品驗(yàn)證

　　三星財(cái)報顯示
，25Q2 HBM 銷量環(huán)比增長約 30%，其中 HBM3E 產(chǎn)品占比擴(kuò)大至超 80% ，公司預(yù)計(jì) 25H2 HBM3E 銷售占比超 90%；公司表示 HBM4已經(jīng)完成開發(fā)
，向主要客戶送樣

　　HBM3E成主流國內(nèi)廠商已布局

　　長江證券研報顯示，HBM3E代際為當(dāng)前主流 ，據(jù)TrendForce預(yù)測
，2025年HBM3E市場份額大幅提升，占比有望超過95%。

　　TrendForce預(yù)測 ，2026年HBM市場總出貨量預(yù)計(jì)將突破30 Billion Gb
，HBM4的市占率則隨著供應(yīng)商持續(xù)放量而逐季提高，預(yù)計(jì)于2026年下半年正式超越HBM3e系列產(chǎn)品 ，成為市場主流 。

　　據(jù)東方證券研報
，長鑫存儲計(jì)劃在2025年底前交付第四代高帶寬存儲器樣品（HBM3），并預(yù)計(jì)從2026年開始全面量產(chǎn)；此外 ，長鑫存儲還設(shè)定了2027年開發(fā)第五代HBM（HBM3E）的目標(biāo)。先進(jìn)存儲的持續(xù)突破，將帶動產(chǎn)業(yè)鏈上游設(shè)備行業(yè)的需求快速增長
，國產(chǎn)設(shè)備有望深度受益
。

　　國元證券近期研報顯示，長江存儲正積極尋求技術(shù)突破 ，計(jì)劃開發(fā)用于生產(chǎn)HBM（高帶寬內(nèi)存）的關(guān)鍵技術(shù)——TSV先進(jìn)封裝
，并考慮將其新建的武漢工廠部分用于生產(chǎn)DRAM芯片。

　　此外，華為也在近期宣布 ，自昇騰950PR開始
，昇騰AI芯片將采用華為自研的HBM 。其中，昇騰950搭載自研的HBM HiBL 1.0；昇騰950DT升級至HBM HiZQ 2.0
。

　　杠桿資金搶籌 多股年內(nèi)已翻倍

　　東方財(cái)富Choice數(shù)據(jù)顯示 ，高帶寬內(nèi)存板塊自10月17日反彈以來
，12只個股獲得杠桿資金搶籌，其中拓荊科技排名第一 ，融資凈買入近6億元
，該股年內(nèi)至今漲幅已經(jīng)翻倍；香農(nóng)芯創(chuàng)排名第二，融資凈買入近5億元 ，年內(nèi)之間漲幅超370%。

　　中微公司
、雅克科技、炬光科技 、北方華創(chuàng)
、盛美上海、中巨芯-U等個股融資凈買額在1.7億元至4000萬元之間不等 。

　　從機(jī)構(gòu)觀點(diǎn)看，高帶寬內(nèi)存板塊中
，年內(nèi)漲幅較大個股偏設(shè)備端與代銷端
。

　　比如拓荊科技，據(jù)方正證券 ，公司的薄膜沉積設(shè)備
，如PECVD 、ALD及SACVD，是HBM制造過程中的關(guān)鍵設(shè)備 ，用于在芯片上沉積薄膜
，以實(shí)現(xiàn)高密度、高性能的存儲功能。隨著HBM技術(shù)的演進(jìn)，如HBM4的開發(fā) ，拓荊科技的設(shè)備在支持更高帶寬
、更小節(jié)點(diǎn)的存儲器生產(chǎn)中扮演著重要角色 。

　　又比如精智達(dá)
，據(jù)中泰證券，公司作為國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體測試設(shè)備供應(yīng)商 ，已成功開發(fā)出存儲器通用測試驗(yàn)證機(jī)
，并獲得批量訂單，特別是在HBM測試機(jī)領(lǐng)域 ，精智達(dá)的測試機(jī)工程樣機(jī)已經(jīng)搬入客戶現(xiàn)場進(jìn)入驗(yàn)證階段，顯示出公司在HBM測試設(shè)備方面的技術(shù)實(shí)力和市場潛力
。

　　而香農(nóng)芯創(chuàng)則是SK海力士代銷商。華創(chuàng)證券表示
，公司國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體分銷商，香農(nóng)芯創(chuàng)擁有全球全產(chǎn)業(yè)存儲器供應(yīng)商之一的SK海力士的代理權(quán) ，這為香農(nóng)芯創(chuàng)在HBM領(lǐng)域的業(yè)務(wù)拓展提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ) 。

　　民生證券認(rèn)為
，從產(chǎn)業(yè)鏈來看，HBM產(chǎn)業(yè)上游主要包括電鍍液、前驅(qū)體 、IC載板等半導(dǎo)體原材料及TSV設(shè)備
、檢測設(shè)備等半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商；中游為HBM生產(chǎn) ，下游應(yīng)用領(lǐng)域包括人工智能、數(shù)據(jù)中心以及高性能計(jì)算等
。在HBM制造中
，TSV工序是主要難點(diǎn)，其涉及光刻 、涂膠
、刻蝕等復(fù)雜工藝 ，是價值量最高的環(huán)節(jié)。國產(chǎn)HBM量產(chǎn)勢在必行
，當(dāng)前國產(chǎn)HBM或處于發(fā)展早期，上游設(shè)備材料或迎來擴(kuò)產(chǎn)機(jī)遇 。