9月4日至9月6日 ，第十三屆半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件及材料展（下稱：CSEAC 2025）正在無(wú)錫舉行 。

　　期間
，中微公司發(fā)布6款半導(dǎo)體設(shè)備新產(chǎn)品，覆蓋等離子體刻蝕（Etch）、原子層沉積（ALD）及外延（EPI）等工藝
。

　　中微公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理尹志堯在該展會(huì)主旨演講環(huán)節(jié)表示 ，目前
，中微公司在研項(xiàng)目涵蓋六大類 、超二十款新設(shè)備，過(guò)去一款新設(shè)備的開發(fā)周期通常為3-5年 ，如今僅需2年
，甚至更短時(shí)間就能推出具有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品并順利落地。

　　就整個(gè)行業(yè)而言，當(dāng)前 ，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局呈現(xiàn)頭部企業(yè)領(lǐng)跑，新興力量加速突圍的特征 。

　　▍新產(chǎn)品對(duì)標(biāo)國(guó)際巨頭

　　中微公司主營(yíng)產(chǎn)品為刻蝕設(shè)備
、薄膜沉積設(shè)備
，以及MOCVD設(shè)備等泛半導(dǎo)體設(shè)備，產(chǎn)品開發(fā)方向較為縱深
。

　　在刻蝕技術(shù)方面 ，中微公司展示了其新一代高深寬比等離子體刻蝕設(shè)備CCP電容性高能等離子體刻蝕機(jī)Primo UD-RIE®和Primo Menova12寸ICP單腔刻蝕設(shè)備。

　　CSEAC 2025期間
，中微公司現(xiàn)場(chǎng)展臺(tái)工作人員表示，“Primo UD-RIE®定價(jià)高于行業(yè)常規(guī)水平 ，是常規(guī)此類產(chǎn)品價(jià)格的好幾倍 。 ”另?yè)?jù)其透露
，本次展示的Primo Twin-Star® 為中微首創(chuàng)機(jī)型
。當(dāng)前大多海外企業(yè)追求技術(shù)迭代而沒(méi)有在成本和機(jī)臺(tái)設(shè)計(jì)上進(jìn)行創(chuàng)新。此機(jī)型首批設(shè)備由中國(guó)臺(tái)灣某企業(yè)采購(gòu) 。

　　據(jù)了解，今年6月 ，Primo Menova12寸ICP全球首臺(tái)機(jī)已付運(yùn)到客戶認(rèn)證
，進(jìn)展順利，并和更多的客戶展開合作。

　　在薄膜沉積領(lǐng)域 ，中微公司推出的12英寸原子層沉積產(chǎn)品Preforma Uniflash®金屬柵系列
，該系列涵蓋Preforma Uniflash® TiN、Preforma Uniflash® TiAI及Preforma Uniflash® TaN三大產(chǎn)品，能夠滿足先進(jìn)邏輯與先進(jìn)存儲(chǔ)器件在金屬柵方面的應(yīng)用需求
。在新型技術(shù)領(lǐng)域 ，中微公司發(fā)布的全球首款雙腔減壓外延設(shè)備PRIMIO Epita® RP。

　　上述工作人員表示，去年
，中微就開始了Preforma Uniflash®系列產(chǎn)品研發(fā)，且正持續(xù)研發(fā)新一代機(jī)型 ，預(yù)計(jì)明年推出第二代產(chǎn)品 。“從金屬材料到設(shè)備結(jié)構(gòu)均實(shí)現(xiàn)自主設(shè)計(jì)
，公司產(chǎn)品和海外同類型企業(yè)沒(méi)有變化，甚至在研發(fā)的時(shí)候思考更清晰 ，表現(xiàn)效果也更好
。
”

　　另有其工作人員向《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者表示
，產(chǎn)品在本屆大會(huì)上大多產(chǎn)品雖以新品發(fā)布的形式向公眾展示，但實(shí)際部分產(chǎn)品已于去年開始銷售。據(jù)悉 ，中微公司雙腔減壓外延設(shè)備 PRIMIO Epita® RP在2024年8月已付運(yùn)到客戶進(jìn)行成熟制程和先進(jìn)制程驗(yàn)證
，進(jìn)展順利 。

　　有業(yè)內(nèi)人士向《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者表示，中微新產(chǎn)品直接對(duì)標(biāo)國(guó)際巨頭 ，刻蝕設(shè)備Primo UD-RIE®與泛林半導(dǎo)體（Lam Research）的深硅刻蝕機(jī)競(jìng)爭(zhēng)
，后者在5nm以下制程占主導(dǎo)
。ALD設(shè)備Preforma Uniflash®系列挑戰(zhàn)應(yīng)用材料（AMAT）的Endura®系列，后者在金屬柵沉積領(lǐng)域市占率超60%。外延設(shè)備PRIMIO Epita® RP與東京電子（TEL）的EPI設(shè)備形成差異化競(jìng)爭(zhēng) 。

　　除中微公司外 ，其他國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭本次也展出新產(chǎn)品
。

　　《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者注意到，北方華創(chuàng)展示了多款設(shè)備與工藝解決方案
，涵蓋集成電路領(lǐng)域的8英寸 、12英寸設(shè)備，以及三維集成
、先進(jìn)封裝等相關(guān)方案；拓荊科技則展出了多款新品 ，具體包含12英寸等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備、晶圓激光剝離設(shè)備12英寸等離子體原子層沉積設(shè)備
，以及晶圓對(duì)晶圓混合鍵合設(shè)備。

　　▍半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)迭代加速

　　多款新品的推出與高額的研發(fā)投入密不可分 。

　　以中微公司為例，今年上半年 ，該公司研發(fā)投入達(dá)14.92億元
，同比增長(zhǎng)約53.70%，研發(fā)投入占公司營(yíng)業(yè)收入比例約為30.07%
。

　　在過(guò)去的20年間 ，中微公司共計(jì)開發(fā)了3代 、18款刻蝕機(jī)。在等離子體刻蝕這一品類
，中微公司目前基本可全面覆蓋不同應(yīng)用，包括成熟及先進(jìn)邏輯器件
、閃存、動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 、特殊器件等 ，且已有95%到99%的應(yīng)用都有了批量生產(chǎn)的數(shù)據(jù) 。

　　薄膜設(shè)備方面
，中微公司規(guī)劃了近40種導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備的開發(fā)。據(jù)中微公司董事長(zhǎng)尹志堯于今年5月介紹，該公司預(yù)計(jì)很快將會(huì)把國(guó)際對(duì)國(guó)內(nèi)禁運(yùn)的20多種薄膜設(shè)備開發(fā)完成 ，預(yù)計(jì)到2029年完成所有開發(fā)
。

　　另?yè)?jù)《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者統(tǒng)計(jì)，在A股22家半導(dǎo)體設(shè)備上市企業(yè)中
，16家研發(fā)投入實(shí)現(xiàn)同比正增長(zhǎng)；研發(fā)投入規(guī)模上，北方華創(chuàng)今年上半年以32.18億元的研發(fā)投入位居首位 ，同比增長(zhǎng)30.01%。

　　業(yè)內(nèi)人士表示
，**半導(dǎo)體設(shè)備新品產(chǎn)出速度與研發(fā)投入的行業(yè)趨勢(shì)研發(fā)提速主要有兩方面原因：

　　一是GAA晶體管等新工藝需求推動(dòng)設(shè)備升級(jí)，促進(jìn)技術(shù)迭代；二是國(guó)際形勢(shì)促進(jìn)加速自主化 ，2025年國(guó)產(chǎn)設(shè)備市占率或突破30% 。該業(yè)內(nèi)人士同時(shí)表示
，半導(dǎo)體設(shè)備核心零部件仍依賴進(jìn)口，高研發(fā)投入短期影響利潤(rùn)
。**

　　CSEAC 2025期間 ，北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司總裁陳吉表示
，多年來(lái)，北方華創(chuàng)推動(dòng)多款國(guó)產(chǎn)設(shè)備完成導(dǎo)入與驗(yàn)證 ，但部分客戶為保障自身生存、維持現(xiàn)金流穩(wěn)定
，最終仍選擇采購(gòu)海外設(shè)備。“在北方華創(chuàng)及其他國(guó)產(chǎn)設(shè)備尚未實(shí)現(xiàn)完全替代的當(dāng)下，這也是無(wú)奈之舉 。但從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看 ，晶圓廠（Fab）設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化是必然趨勢(shì)
。”

　　據(jù)SemiAnalysis統(tǒng)計(jì)，2025年第二季度
，全球前五大半導(dǎo)體設(shè)備WFE公司（即：Lam
、KLA、AMAT 、ASML
、TEL）在華收入環(huán)比增長(zhǎng)12.6億美元。除東京電子（TEL）外，其余公司在華收入均實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng) 。應(yīng)用材料公司（AMAT）表示 ，2025年第一季度或第三季度的中國(guó)收入水平預(yù)示著未來(lái)幾個(gè)季度中國(guó)市場(chǎng)的增長(zhǎng)
。

　　▍國(guó)產(chǎn)頭部設(shè)備廠領(lǐng)跑

　　當(dāng)前
，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局呈現(xiàn)頭部企業(yè)領(lǐng)跑，新興力量加速突圍的特征。多名業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為 ，企業(yè)推出新品的速度與自身研發(fā)投入是其搶占市場(chǎng)的關(guān)鍵 。

　　目前在半導(dǎo)體裝備業(yè)務(wù)板塊
，北方華創(chuàng)的主要產(chǎn)品包括刻蝕、薄膜沉積 、熱處理
、濕法、離子注入 、涂膠顯影
、鍵合等核心工藝裝備，廣泛應(yīng)用于集成電路、功率半導(dǎo)體 、三維集成和先進(jìn)封裝
、化合物半導(dǎo)體、新型顯示等制造領(lǐng)域
。

　　其中 ，北方華創(chuàng)刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備
，仍具備國(guó)內(nèi)先進(jìn)實(shí)力。北方華創(chuàng)刻蝕設(shè)備已實(shí)現(xiàn)硅 、金屬、介質(zhì)刻蝕機(jī)全覆蓋，計(jì)劃推出12英寸雙大馬士革CCP介質(zhì)刻蝕機(jī) ，預(yù)計(jì)將拓展在存儲(chǔ)
、CIS和功率半導(dǎo)體等多個(gè)領(lǐng)域的新業(yè)務(wù) 。薄膜沉積設(shè)備
，則實(shí)現(xiàn)了對(duì)邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片金屬化制程的全覆蓋，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體、三維集成和先進(jìn)封裝 、新型顯示
、化合物半導(dǎo)體等多個(gè)領(lǐng)域的量產(chǎn)應(yīng)用 ，12寸先進(jìn)集成電路制程金屬化薄膜沉積設(shè)備實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)突破。

　　薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域不容小覷的另一家行業(yè)龍頭還有拓荊科技
。該公司自設(shè)立以來(lái)，一直聚焦薄膜沉積設(shè)備。其形成了PECVD、ALD 、SACVD
、HDPCVD及Flowable CVD等薄膜設(shè)備系列產(chǎn)品
，在集成電路邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片制造等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用 。

　　與此同時(shí)，拓荊科技近年還開發(fā)了應(yīng)用于三維集成領(lǐng)域的先進(jìn)鍵合設(shè)備及配套量檢測(cè)設(shè)備
。

　　有業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為 ，從市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)角度分析
，在競(jìng)爭(zhēng)激烈的半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)，新品產(chǎn)出速度快 、研發(fā)投入大的公司能夠更快地推出具有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品 ，搶占市場(chǎng)份額。如果一家公司不能及時(shí)推出新產(chǎn)品
，就可能被競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手超越，失去市場(chǎng)優(yōu)勢(shì) 。因此 ，加大研發(fā)投入和加快新品產(chǎn)出是公司在市場(chǎng)中生存和發(fā)展的必要手段
。

（文章來(lái)源：財(cái)聯(lián)社）